УДК 548.31

Физико-химические основы выращивания варизонного полупроводникового Si1-XGeX твердого раствора из жидкой фазы

Физико-химические основы выращивания варизонного полупроводникового Si1-XGeX твердого раствора из жидкой фазы
©Раззаков А. Ш., канд. физ.-мат. наук, Ургенчский государственный университет, г. Ургенч, Узбекистан, razzokov.a@bk.ru
©Матназаров А. Р., канд. физ.-мат. наук, Ургенчский государственный университет, г. Ургенч, Узбекистан, a_matnazarov@mail.ru
©Латипова М. А., Ургенчский государственный университет, г. Ургенч, Узбекистан, latipova_1976@list.ru
©Жапаков А. И., Ургенчский государственный университет, г. Ургенч, Узбекистан, ajapaqov@gmail.com

Аннотация. Выращены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора Si1-xGex (0<x<1) на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного оловянного, галлиевого раствора-расплава. Изучено образование дислокаций на границе подложки-пленки, вдоль направления роста твердого раствора Si1-xGex, выращенных при различных технологических условиях, а также влияние кластерообразования в растворе, кристаллическая совершенность структуры пленок при росте. Приведены оптимальные технологические режимы роста, для получения кристаллических совершенных эпитаксиальных слоев и структур.

Ключевые слова: эпитаксия, кристаллизация, раствор-расплав, твердый раствор, дислокация, подложка, седиментация, дисперсная фаза, дисперсионная среда, ультрамикрогетерогенная, кластер.

Physico-Chemical Bases Cultivation Variable-gap Semiconductor Solid Solution Si1-XGeX from the Liquid Phase
©Razzakov A., Ph.D., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan, razzokov.a@bk.ru
©Matnazarov A., Ph.D., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan, a_matnazarov@mail.ru
©Latipova M., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan, latipova_1976@list.ru
©Japakov A., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan. ajapaqov@gmail.com

Abstract. Single-crystal films of a graded-gap solid solution Si1-xGex (0 <x <1) was grown on Si substrates from limited tin, gallium solution-melt. Accordingly, liquid phase epitaxy method was applied in the process. The formation of dislocations, grown under various technological conditions, at the substrate-film interface along the growth direction of the Si1-xGex solid solution was studied. Optimal technological growth modes for obtaining crystalline perfect epitaxial layers and structures are given.

Keywords: epitaxy, crystallization, solution-melt, solid solution, dislocation, substrate, sedimentation, dispersed phase, dispersion medium, ultramicroheterogeneous, cluster.

Ссылка для цитирования:

Раззаков А. Ш., Матназаров А. Р., Латипова М. А., Жапаков А. И. Физико-химические основы выращивания варизонного полупроводникового Si1-XGeX твердого раствора из жидкой фазы // Бюллетень науки и практики. 2020. Т. 6. №9. С. 10-17. https://doi.org/10.33619/2414-2948/58/01

Cite as (APA):

Razzakov, A., Matnazarov, A., Latipova, M., & Japakov, A. (2020). Physico-Chemical Bases Cultivation Variable-gap Semiconductor Solid Solution Si1-XGeXfrom the Liquid Phase. Bulletin of Science and Practice, 6(9), 10-17. (in Russian). https://doi.org/10.33619/2414-2948/58/01

© 2015–20 Издательский центр НАУКА И ПРАКТИКА. Сайт создан на Wix.com

  • Facebook Social Icon
  • Twitter Social Icon